第一，由于UPS测量中光激发电子的动能在0-20eV范围，在此能量区间的电子逃逸深度较小，且随能量急剧变化，材料表面的导电性、污染程度和粗糙度等因素会对测量结果产生较大影响，轻则导致谱图的峰位移动和峰形变化，重则导致无信号。UPS适用于分析表面均匀洁净的导体以及导电性较好的半导体薄膜材料。对于合成的粉末样品，影响因素较多，UPS测试存在一定风险 ； 第二，UPS测试过程中，紫外光的扫描范围仅为样品中的某个微小区域，如果样品制备不均匀，或者测试区域恰好条件不佳，也可能会影响测试结果；

测试老师给出的只是分析结果仅供参考，因为测试老师不知道每个样品具体是什么材料，只能根据自己的习惯和经验大致作图分析，所以我们一般还需要根据对样品性质的了解，对数据分析结果微调甚至大的调整。

因UPS采集信息较浅，若样品表面容易变质， 可清洁掉表面材料（一般10nm内），测试清洁后的样品表面

①无偏压模式：验证样品导电性、测定价带顶；

②偏压模式：测定功函数、价带顶，验证半导体类型（P型/N型）。

未加偏压：看低结合能一侧（费米边），做切线与右侧直线（平行于X轴）的交点，即为价带顶。

示例：

若数据为施加偏压后的，例如，加-5V偏压，则需要先校正，看高结合能一侧（二次电子截止边），做切线与左侧直线（平行于X轴）的交点，用21.22减去交点的值，即为功函数。